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The breakdown voltage is represented as V z and in this condition the current start flowing in the diode. After the breakdown voltage the current increase drastically unit it reaches a stable value. The phenomenon of Avalanche breakdown occurs both in the ordinary diode and Zener Diode at high reverse voltage. For a high value of reverse voltage, the free electron in the PN junction diode gains energy and acquires high velocity and these high-velocity electrons collide with other atoms and knock electrons from that atoms. This collision continues and new electrons are available for conducting current thus the current increase rapidly in the diode. Zener breakdown happens in heavily doped PN junction diodes. In these diodes, if the reverse bias voltages reach closer to Zener Voltage, the electric field gets stronger and is sufficient enough to pull electrons from the valance band. These electrons then gain energy from the electric field and break free from the atom. VI Characteristics of Zener Diode. Forward characteristics of the Zener Diode are similar to the forward characteristics of any normal diode. It is clearly evident from the above diagram in the first quadrant that the VI forward characteristics are similar to other P-N junction diodes.
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