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Here is the one of the IGBT: So at 18 A it has a voltage drop of 2.4 V @ Vge = 20 V (best case), it means a power dissipation of 43.2 W. Here is the output characteristics: It is fairly linear and it seems to correspond with the RdsOn given into the datasheet: So for 18 A through 70 mOhm, the voltage drop is 1.26 V. So the dissipated power is 22.68 W, which give a ratio of 1.9 between the both devices. What about switching losses? Firstly how it is characterized? For the IGBT: For the GaN : It will be hard to compare the both as we do not have the all parameters of the circuit. Nevertheless I hope that it will give us a tendency: Here are the characteristics: For the IGBT: Psw = (Eoff + Eon)/Fsw For Fsw = 20 kHz (maximum frequency for this king of IGBT) -> it gives 28.6 W. For the GaN: For Fsw = 20 kHz -> it gives 1.7 W . For having the same switching losses i could multiply the frequency to approximately 17, ie 340 kHz. What is strange is that Coss is not 17 times lower than the Coes (even if it not the only parameter about switching losses). The capacitance of the GaN is higher than an IGBT: Here is for the IGBT: Here is for the GaN: How do you explain it? Thank you. 2,716 1 1 gold badge 18 18 silver badges 46 46 bronze badges. May 19, 2022 at 18:12. Poker jeu gratuit.A area de ocorrencia desse clima e conhecida como sertao, que pode chegar a ficar oito meses sem chuva.
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