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The capacitance of the GaN is higher than an IGBT: Here is for the IGBT: Here is for the GaN: How do you explain it? Thank you. May 19, 2022 at 18:12. SiC、GaN未来五年内的市场应用趋势如何？ 功率器件厂商英飞凌近三十年来一直在SiC上发力：1992年，开始研发SiC功率器件；1998年，建立2英寸的生产线；2001年，推出第一个SiC产品；2006年，发布采用MPS技术的二极管；2013年，率先采用第五代薄晶圆技术；2014-2017年，先后发布SiC JFET、第五代1200V二极管、6英寸技术和SiC 沟槽栅 MOSFET。 去年10月，TI推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V GaN FET。针对车规级第三代半导体器件，其他一众厂商更多地选择使用SiC，而TI却在汽车上推出GaN器件。TI推出的LMG3522R030-Q1是第一款具有集成驱动器的车规级GaN器件，与现有的Si和SiC解决方案相比，GaN器件的设计提供了更好的开关性能指标、更有效且体积更小。Alex相信，未来的电动汽车将同时利用GaN和SiC技术——GaN主要用于交流/直流车载充电器和高压直流/直流转换器，SiC则主要用于汽车牵引逆变器和压缩机。 如图6所示，目前业界的氮化镓晶体管产品是平面结构，即源极，门极和漏极在同一平面内，这与与超级结技术(Super Junction)为代表的硅MOSFET的垂直结构不同。门极下面的P-GaN结构形成了前面所述的增强型氮化镓晶体管。漏极旁边的另一个p-GaN结构是为了解决氮化镓晶体管中常出现的电流坍陷(Current collapse)问题。英飞凌科技有限公司的CoolGaN产品的基材（Substrate）采用硅材料，这样可以大大降低氮化镓晶体管的材料成本。由于硅材料和氮化镓材料的热膨胀系数差异很大，因此在基材和GaN之间增加了许多过渡层(Transition layers)，从而保证氮化镓晶体管在高低温循环，高低温冲击等恶劣工况下不会出现晶圆分层等失效问题。 碳化硅MOSFET的特性. Immediate issue to improve efficiency in existing products. The first attempt to improve efficiency is the 2kVA output single-phase inverter. It was acknowledged that if loss reduction could be achieved, the inverter would be more competitive in the market. However, since this inverter is a low output type and the circuit configuration is simple, there was not much room for efficiency improvement compared to the high output type. Jogo milan.Este tipo de bônus é muito vantajoso, o que significa apostas sem preocupações na Alemanha. Divertido, não.
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