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B. Jayant Baliga , in The IGBT Device , 2015. IGBT Applications: Defense. The insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device typically used as an electronic switch in a wide range of applications. It combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFET with the high-current and low-saturation-voltage capability of the bipolar transistor in a single device. While specific IGBT datasheets and application notes from manufacturers provide a wealth of useful information, navigating this content can be time consuming, particularly for circuit designers new to IGBTs. Related Articles. · IGBTs typically have a higher gate-emitter threshold voltage compared to a MOSFET. Also, at elevated temperatures, a higher gate-emitter voltage is required to ensure the device remains in saturation at a given collector current. For both of these reasons, the IGBT’s applied V GE (gate-emitter voltage) should be at least 14 V (preferably 15 V). In case of similarly rated MOSFETs, an applied V GS of 10 V (gate-source voltage) is generally sufficient to ensure saturation across temperature and current. · Devices should be mounted on a common heat sink/copper substrate.
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