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Então estas duas tensões são somadas e ficam em cima dos terminais da chave de maneira transitória. Isto quer dizer que a tensão em cima da chave sobe, apesar da tensão aparecer reversa entre os terminais do indutor, ela é reversa apenas em cima do indutor . Se mudarmos o ponto de referência, ela é direta em relação à tensão da fonte. Trocando a chave pelo IGBT temos o que esta apresentado na figura: Shoot through. Outra informação importante é o tempo de recuperação do diodo. O pulso polariza o diodo diretamente que fica polarizado até a energia da bobina se esvair e a tensão da fonte polarizar o diodo reversamente. Kkpoker.Informações gerais. Gerencie suas vendas.
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Atualmente, dois transistores predominantes incluem Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Metal (MOSFET) e Transistores de Junção Bipolar (BJT). O MOSFET oferece uma série de vantagens em relação ao BJT. MOSFET e BJT representam os dois principais tipos de transistores usados hoje . Os transistores consistem em três pinos chamados emissor, coletor e base. A base controla a corrente elétrica, o coletor lida com o fluxo da corrente de base e o emissor é onde a corrente flui para fora. Ambos os MOSFETs e BJTs são geralmente feitos de silício, com uma porcentagem menor de arsenieto de gálio. Ambos podem funcionar como transdutores para sensores eletroquímicos. O MOSFET é um tipo de transistor de efeito de campo que é usado em circuitos integrados digitais como microcomputadores.
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